附:余金中教授个人简历 博士,研究员,博士生导师,湖北鄂州人。1965年中国科学技术大学物理系毕业,1967年半导体研究所研究生毕业,师从王守武院士。1982-1983、1987、1990-1991年留学日本理化学研究所和大阪大学,师从难波进教授,获大阪大学工学博士学位。1992和2001年作为访问学者在美国硅谷和德国斯图加特大学工作和讲学。 余金中现任半导体研究所学术委员、中国电子学会光电子学组学术委员,中国科学院研究生院、浙江大学、山东大学、厦门大学、北京工业大学、华侨大学和河北大学兼职教授,《半导体光电子》、《飞通光电子技术》杂志编委。美国国际光子工程协会 (SPIE)、中国光学学会会员和中国电子学会高级会员。 长期从事半导体光电子学研究,目前着重研究硅基光电子集成、硅基光波导器件和SiGe/Si异质结和器件的生长、制备和特性表征。主要学术业绩为: 一、首先在国内实现了短波长激光器的长寿命工作,促进了我国光通信的起步发展。主持长波长激光器实用化研发,成功地转化为高技术产品。 二、开展低能量无损伤干法刻蚀研究,创新采用低能量大离子束流,实现了无损伤高速率刻蚀,为低阈值长寿命半导体激光器的研制奠定了重要基础。 三、1996年至今致力于硅基光电子学研究,合作设计加工出高水平的UHV/CVD系统,指导研究生外延出高质量SiGe/Si量子结构和器件,相关结果已被国外多次进行报道,并多次在国际会议上作邀请报告。 四、在国内率先主持开展SOI光波导研究,成功做出MMI耦合器和MZI热光型和电光型光开关,响应速度快,为国际先进水平。 先后获科学院重大项目二等奖、科技进步二等奖和两次国家科技进步二等奖。1992年起享受国务院颁发的政府特殊津贴,2001年获中国科学院华为优秀研究生导师奖。发表论文150多篇,SCI和EI收录分别为55篇和43篇,被他人SCI引用60次,著作和译著各一本。
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